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SSM6J507NU,LF

Name: Toshiba SSM6J507NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6J507NULF
Price: 0.62 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-SSM6J507NULF

Fabr. N.º:

SSM6J507NU,LF

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

Hoja de datos:

SSM6J507NU,LF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,628 €	0,63 €
	0,388 €	3,88 €
	0,249 €	24,90 €
	0,19 €	95,00 €
	0,17 €	170,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,142 €	426,00 €
	0,131 €	786,00 €
	0,114 €	1.026,00 €
	0,112 €	2.688,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	UDFN-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	10 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	20 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	13.6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSVI
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SSM6J507
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	170 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	55 ns
Peso unitario:	8,500 mg

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Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

USB Type-C™ Data Mux & Power Delivery Switches

Toshiba USB Type-C™ Data Mux and Power Delivery Switches support new features and new technology in mobile applications. Devices are charged with USB Power Delivery systems with higher charging voltages than before. For example, a 100W charging system delivers 20V/5A and would require a 30V-tolerant switch. Toshiba provides low-resistance 30V switches, including MOSFETs and IC switches, that provide overvoltage protection and slew rate control.