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SSM3K35AMFV,L3F

Name: Toshiba SSM3K35AMFV,L3F
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3K35AMFVL3F
Price: 0.16 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-SSM3K35AMFVL3F

Fabr. N.º:

SSM3K35AMFV,L3F

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

Hoja de datos:

SSM3K35AMFV,L3F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 8000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,163 €	0,16 €
	0,093 €	0,93 €
	0,039 €	3,90 €
	0,03 €	30,00 €
	0,028 €	140,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 8000)
	0,022 €	176,00 €
	0,021 €	504,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VESM-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	250 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.1 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	340 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSIII
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5.5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	0.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	2 ns
Serie:	SSM3K35AM
Cantidad del paquete de fábrica:	8000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	6.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	2 ns
Peso unitario:	24 mg

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Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Discrete Solid State Drive (SSD) Solutions

Toshiba Discrete Solid State Drive (SSD) Solutions feature a broad product lineup that meets current requirements with TVS, Shottkey Barrier Diodes (SBD), LDOs, Load Switch ICs, and the powerful eFuse IC. These SSDs can parse through data quicker than a traditional Hard Disk Drive (HDD). As SSD technology improves, it will require power circuitry that meets increasingly rigorous power demands and protection that keeps essential data safe from failures. Toshiba offers a comprehensive lineup of load switches and MOSFETs for controlling power inputs, protection ICs, and diodes designed to handle abnormal input power conditions and overvoltage surges during hotplug.

SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches.

U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.