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SSM3K357R,LF

Name: Toshiba SSM3K357R,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3K357RLF
Price: 0.48 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-SSM3K357RLF

Fabr. N.º:

SSM3K357R,LF

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

Hoja de datos:

SSM3K357R,LF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 15.000

Fecha prevista: 05/10/2026
Plazo de producción de fábrica:: 7

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,482 €	0,48 €
	0,298 €	2,98 €
	0,189 €	18,90 €
	0,143 €	71,50 €
	0,127 €	127,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,108 €	324,00 €
	0,097 €	582,00 €
	0,083 €	747,00 €
	0,08 €	1.920,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-23F-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	650 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.8 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.3 V
Qg (carga de compuertas):	1.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	MOSV
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Transconductancia delantera: mín.:	500 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SSM3K357R
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	3000 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	990 ns
Peso unitario:	11 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Hoja de datos

SSM3K357R,LF Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Tailandia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (V_DS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (V_GS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.

SSM6N357R & SSM3K357R Low ON-Resistance MOSFETs

Toshiba SSM6N357R and SSM3K357R Low ON-Resistance MOSFETs are silicon N-channel components designed for relay driver applications. The SSM6N357R,LF comes with two channels, whereas the SSM3K357R,LF comes with a single channel. These AEC-Q101-qualified MOSFETs feature a 3V gate drive voltage, built-in internal Zener diodes/resistors, and a 2kV class Human Body Model (HBM) ESD rating. The low ON-resistance MOSFETs offer 60V drain-source voltage, ±12V gate-source voltage, +150°C maximum channel temperature, and 12.6mJ single-pulse avalanche energy.

SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches.