SQJ401EP-T1_GE3 MOSFET

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified 30.480En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 12 V 32 A 5 mOhms - 8 V, 8 V 1.5 V 164 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ4

Si AEC-Q100 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel