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SQJ170ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ170ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJ170ELP-T1_GE3
Price: 1.38 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SQJ170ELP-T1_GE3

Fabr. N.º:

SQJ170ELP-T1_GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

SQJ170ELP-T1_GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,38 €	1,38 €
	0,877 €	8,77 €
	0,586 €	58,60 €
	0,461 €	230,50 €
	0,421 €	421,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,388 €	1.164,00 €
	0,356 €	2.136,00 €
	0,348 €	3.132,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK SO-8L
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	63 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	16.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	12 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	136 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Tiempo de caída:	2 ns
Transconductancia delantera: mín.:	30 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3 ns
Serie:	SQJ
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	17 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9 ns

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SQJ170ELP-T1_GE3 Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

MOSFET de canal N TrenchFET Gen IV

Los MOSFET de canal N TrenchFET® Gen IV deVishay Siliconix son MOSFET de alimentación de canal N de la familia TrenchFET® de última generación de Vishay. Estos nuevos dispositivos utilizan un diseño de alta densidad y los SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP, y SiSA04DN ofrecen la resistencia de encendido más baja del sector de 1,35 mΩ a 4,5 V, y una baja carga de compuerta total en los paquetes SO-8 y 1212-8 PowerPAK®. Sus prestaciones incluyen un R_DS(activo)bajo, que adapta la tensión a menores pérdidas de conducción para reducir el consumo de energía, una relación Q_dg/Q_gs muy baja de 0,5 o inferior, y los paquetes 1212-8 PowerPAK® con una eficiencia similar y un tercio de su tamaño. Las aplicaciones habituales incluyen convertidores CC/CC de alta potencia, rectificación síncrona, convertidores de tipo buck síncronos y OR-ing.
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