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SQJ140ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ140ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJ140ELP-T1_GE3
Price: 1.66 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SQJ140ELP-T1_GE3

Fabr. N.º:

SQJ140ELP-T1_GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

SQJ140ELP-T1_GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,66 €	1,66 €
	1,06 €	10,60 €
	0,712 €	71,20 €
	0,564 €	282,00 €
	0,525 €	525,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,446 €	1.338,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK SO-8L
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	253 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.14 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.2 V
Qg (carga de compuertas):	58 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	255 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia delantera: mín.:	72 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6 ns
Serie:	SQJ
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	33 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.