SQJ131ELP-T1_GE3 MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Vishay / Siliconix MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
239En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 30 V 300 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 207 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement TrenchFET
Vishay MOSFET
Hoja de datos
N/A
Si