SQJ116EP-T1_GE3 MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Vishay MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
430En existencias
3.000Fecha prevista: 25/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 100 V 37 A 3 mOhms 20 V 2.5 V 84 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET
Hoja de datos
N/A
Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 100 V 278 A 3 mOhms 20 V 2.5 V 84 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement