SQJ110EP-T1_GE3 MOSFET

Resultados: 3
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Empaquetado
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET 17.759En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 500 W Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFET SOT669 100V 170A P-CH MOSFET N/A

Si
Vishay MOSFET SOT669 100V 170A P-CH MOSFET N/A

Si