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SP8M3HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8M3HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8M3HZGTB
Price: 1.81 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

755-SP8M3HZGTB

Fabr. N.º:

SP8M3HZGTB

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET AECQ

Hoja de datos:

SP8M3HZGTB Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 2.332

Fecha prevista: 21/04/2026
Plazo de producción de fábrica:: 16

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,81 €	1,81 €
	1,16 €	11,60 €
	0,783 €	78,30 €
	0,624 €	312,00 €
	0,581 €	581,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,516 €	1.290,00 €
	0,503 €	2.515,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	5 A, 4.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	51 mOhms, 56 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V, 2.5 V
Qg (carga de compuertas):	3.9 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	5 ns, 25 ns
Transconductancia delantera: mín.:	3 S, 3.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns, 25 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	22 ns, 60 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	6 ns, 10 ns
Alias de parte #:	SP8M3HZG

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Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Hoja de datos

SP8M3HZGTB Hoja de datos (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SP8M Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SP8M Power MOSFETs are low on-resistance devices housed in a small surface-mount package (SOP8). The SP8M features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs are also halogen-free, have Sn100% plating, and are AEC-Q101 qualified.