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SISF02DN-T1-GE3

Name: Vishay SISF02DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISF02DN-T1-GE3
Price: 2 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

78-SISF02DN-T1-GE3

Fabr. N.º:

SISF02DN-T1-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET PPAK1212 2NCH 25V 30.5A

Hoja de datos:

SISF02DN-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 3.580

Fecha prevista: 19/02/2026
Plazo de producción de fábrica:: 9

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,00 €	2,00 €
	1,19 €	11,90 €
	0,886 €	88,60 €
Paquete Ammo completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,75 €	2.250,00 €
	0,564 €	3.384,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK-1212-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	40 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.15 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 16 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.1 V
Qg (carga de compuertas):	51 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	52 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerPAK
Empaquetado:	Ammo Pack
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia delantera: mín.:	105 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	17 ns
Serie:	SISF
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	25 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns
Peso unitario:	1 g

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PCN

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.