SIR5607DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix
78-SIR5607DP-T1-RE3
SIR5607DP-T1-RE3

Fabr.:

Descripción:
MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

Modelo ECAD:
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En existencias: 8.560

Existencias:
8.560
Puede enviarse inmediatamente
Pedido:
5.825
Fecha prevista: 30/03/2026
Plazo de producción de fábrica:
7
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
2,86 € 2,86 €
1,90 € 19,00 €
1,38 € 138,00 €
1,21 € 605,00 €
1,20 € 1.200,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
1,03 € 3.090,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8
P-Channel
1 Channel
60 V
90.9 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
31.7 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Vishay / Siliconix
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 20 ns
Transconductancia delantera: mín.: 52 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 320 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado: 30 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 45 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiSS52DN & SiSS54DN N-Ch TrenchFET® Gen V MOSFETs

Vishay / Siliconix SiSS52DN and SiSS54DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFETs enable higher power density with very low RDS(on). These power MOSFETs offer 30V VDS and very low RDS x Qg Figure-of-Merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel MOSFET typically features 162A ID and 19.9nC Qg. Meanwhile, the SiSS54DN N-Channel MOSFET typically features 185.6A ID and 21nC Qg. This 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested MOSFET comes in a thermally enhanced compact PowerPAK® 1212-8S package with a single configuration. Typical applications include DC/DC converters, Point-of-Loads (POLs), synchronous rectification, power and load switches, and battery management.