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SIR4606DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR4606DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR4606DP-T1-GE3
Price: 1.55 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIR4606DP-T1-GE3

Fabr. N.º:

SIR4606DP-T1-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

Hoja de datos:

SIR4606DP-T1-GE3 Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,55 €	1,55 €
	0,989 €	9,89 €
	0,66 €	66,00 €
	0,522 €	261,00 €
	0,477 €	477,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,429 €	1.287,00 €
	0,415 €	2.490,00 €
	0,41 €	9.840,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK SO-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	40 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.4 V
Qg (carga de compuertas):	54 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	48 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia delantera: mín.:	60 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	28 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	25 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET (D-S) de 30-45 V y canal N

Los MOSFET (D-S) de 30-45 V y canal N de Vishay son MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV con un factor de mérito (FOM) de RDS Qg muy bajo. Los dispositivos están sintonizados para obtener el FOM de RDS-Qoss más bajo con una función de refrigeración del lado superior que proporciona un espacio adicional para las transferencias térmicas. Los MOSFET se han comprobado al 100 % para Rg y UIS.