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SIDR608EP-T1-RE3

Name: Vishay SIDR608EP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIDR608EP-T1-RE3
Price: 2.75 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIDR608EP-T1-RE3

Fabr. N.º:

SIDR608EP-T1-RE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,75 €	2,75 €
	1,88 €	18,80 €
	1,31 €	131,00 €
	1,13 €	565,00 €
	1,08 €	1.080,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,952 €	2.856,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK SO-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	228 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.36 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 16 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.3 V
Qg (carga de compuertas):	167 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	125 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25 ns
Transconductancia delantera: mín.:	120 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	86 ns
Serie:	SIDR
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	50 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	52 ns

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET (D-S) de 30-45 V y canal N

Los MOSFET (D-S) de 30-45 V y canal N de Vishay son MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV con un factor de mérito (FOM) de RDS Qg muy bajo. Los dispositivos están sintonizados para obtener el FOM de RDS-Qoss más bajo con una función de refrigeración del lado superior que proporciona un espacio adicional para las transferencias térmicas. Los MOSFET se han comprobado al 100 % para Rg y UIS.