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SIA811ADJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA811ADJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA811ADJ-GE3
Price: 0.69 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

781-SIA811ADJ-GE3

Fabr. N.º:

SIA811ADJ-T1-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

Hoja de datos:

SIA811ADJ-T1-GE3 Hoja de datos

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Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,697 €	0,70 €
	0,433 €	4,33 €
	0,281 €	28,10 €
	0,215 €	107,50 €
	0,194 €	194,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,186 €	558,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK-SC70-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	4.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	116 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	400 mV
Qg (carga de compuertas):	13 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	6.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	LITTLE FOOT, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia delantera: mín.:	7 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	45 ns
Serie:	SIA
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	20 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Alias de parte #:	SIA811ADJ-GE3
Peso unitario:	28 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PowerPAK SC-70 MOSFETs

Vishay Semiconductors PowerPAK® SC-70 MOSFET combines the tiny footprint of the SC-70 package with on-resistance comparable to the larger TSOP-6, resulting in very low power consumption in a package 50% smaller than the TSOP-6 and 27% thinner. The Vishay Semiconductor PowerPAK SC-70 MOSFET comes in a variety of configurations and voltage ratings for different applications, including single, single plus Schottky, and dual devices, in both n-channel and p-channel, in addition to n- and p-channel complementary pairs. The PowerPAK SC-70 MOSFET features voltage ranges between 8V and 30V with extremely low on-resistance values down to 0.011Ω at 4.5V.

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.