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SI8806DB-T2-E1

Name: Vishay SI8806DB-T2-E1
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI8806DB-T2-E1
Price: 0.6 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SI8806DB-T2-E1

Fabr. N.º:

SI8806DB-T2-E1

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET 12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

Hoja de datos:

SI8806DB-T2-E1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,602 €	0,60 €
	0,374 €	3,74 €
	0,243 €	24,30 €
	0,186 €	93,00 €
	0,165 €	165,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,14 €	420,00 €
	0,128 €	768,00 €
	0,117 €	1.053,00 €
	0,112 €	2.688,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	MicroFoot-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	12 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3.9 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	47 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	400 mV
Qg (carga de compuertas):	17 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	900 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SI8
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	120 mg

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REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.