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SI7135DP-T1-GE3

Name: Vishay SI7135DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7135DP-T1-GE3
Price: 2.18 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

781-SI7135DP-T1-GE3

Fabr. N.º:

SI7135DP-T1-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Hoja de datos:

SI7135DP-T1-GE3 Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,18 €	2,18 €
	1,43 €	14,30 €
	1,03 €	103,00 €
	0,894 €	447,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,805 €	2.415,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK-SO-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	60 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	167 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	104 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	50 ns
Transconductancia delantera: mín.:	95 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	100 ns
Serie:	SI7
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	110 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	110 ns
Alias de parte #:	SI7135DP-GE3
Peso unitario:	506,600 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package.

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Vishay Si71 MOSFETs feature TrenchFET® Gen III Power MOSFET technology in low thermal resistance PowerPAK® 1212-8 and PowerPak SO-8 packages. The MOSFETs are 100% Rg and UIS tested, ensuring reliability and performance. The N- and P-channel MOSFETs are halogen-free under the IEC 61249-2-21 definition. These compact MOSFETs are ideal for applications where space and thermal management are critical.