Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

SH8JC5TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8JC5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8JC5TB1
Price: 2.64 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

755-SH8JC5TB1

Fabr. N.º:

SH8JC5TB1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET

Hoja de datos:

SH8JC5TB1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre ROHM Semiconductor SH8JC5TB1

En existencias: 9.144

Existencias:: 9.144 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,64 €	2,64 €
	1,71 €	17,10 €
	1,19 €	119,00 €
	0,998 €	499,00 €
	0,912 €	912,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,844 €	2.110,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOP-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	7.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	32 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	50 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	74 ns
Transconductancia delantera: mín.:	11 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	30 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	130 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns
Alias de parte #:	SH8JC5
Peso unitario:	83 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SH8JC5TB1 Hoja de datos

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

SH8J Pch Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SH8J Pch Power MOSFETs feature low on-resistance and are housed in a small surface-mount package (SOP8). ROHM offers a wide voltage lineup from small signal products to 800V high voltage products. They can be used for various applications like power supplies and motor drive circuits.