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SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 8.37 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-SGT65R65AL

Fabr. N.º:

SGT65R65AL

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

FET de GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	8,37 €	8,37 €
	5,79 €	57,90 €
	4,71 €	471,00 €
	4,68 €	2.340,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	4,06 €	12.180,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerFLAT-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	25 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	65 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	+ 6 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.8 V
Qg (carga de compuertas):	5.4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	305 W
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	SGT
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN-on-Si
Tipo de transistor:	E-Mode
Tipo:	RF Power MOSFET
Peso unitario:	76 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors are 650V, 25A transistors combined with well-established packaging technology. The STMicroelectronics SGT65R65AL has a resulting G-HEMT device that provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation. The device can enable high power density and unbeatable efficiency performances.

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.