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SGT190R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT190R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT190R70ILB
Price: 1.14 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-SGT190R70ILB

Fabr. N.º:

SGT190R70ILB

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

FET de GaN 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor

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	1,14 €	3.420,00 €
	1,12 €	6.720,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	FET de GaN
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerFLAT-8
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	700 V
Id: corriente de drenaje continuo:	11.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	190 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 6 V, + 7 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	2.8 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	83 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tiempo de caída:	4 ns
Empaquetado:	Reel
Producto:	FET
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	4 ns
Serie:	SGT
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor
Tiempo típico de retraso de apagado:	1.7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	1.4 ns

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Product Change Notification 2025-11-26 (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.