SCT4036DWAHRTL

ROHM Semiconductor
755-SCT4036DWAHRTL
SCT4036DWAHRTL

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 700

Existencias:
700 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
27 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
9,94 € 9,94 €
6,99 € 69,90 €
5,95 € 595,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
5,06 € 5.060,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: MOSFET de SiC
SMD/SMT
TO-263-7LA
N-Channel
1 Channel
750 V
38 A
47 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
72 nC
+ 175 C
115 W
Enhancement
AEC-Q101
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 12 ns
Transconductancia delantera: mín.: 10 S
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Producto: Power MOSFETs
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 21 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: SiC Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado: 36 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 6.5 ns
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Atributos seleccionados: 0

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USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.