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SCT4020DLLTRDC

Name: ROHM Semiconductor SCT4020DLLTRDC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4020DLLTRDC
Price: 20.56 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-SCT4020DLLTRDC

Fabr. N.º:

SCT4020DLLTRDC

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET de SiC TOLL 750V 80A SIC

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

SCT4020DLLTRDC Hoja de datos (PDF)

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	20,56 €	20,56 €
	16,82 €	168,20 €
	15,47 €	1.547,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	14,32 €	28.640,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TOLL-9
Polaridad de transistor:	N Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Id: corriente de drenaje continuo:	80 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.8 V
Qg (carga de compuertas):	123 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 175 V
Pd (disipación de potencia):	277 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia delantera: mín.:	19 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	26 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	14 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	53 ns

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.