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SCT4013DLLTRDC

Name: ROHM Semiconductor SCT4013DLLTRDC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4013DLLTRDC
Price: 29.29 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-SCT4013DLLTRDC

Fabr. N.º:

SCT4013DLLTRDC

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET de SiC TOLL 750V 120A SIC

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	29,29 €	29,29 €
	22,39 €	223,90 €
	20,16 €	2.016,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	19,06 €	38.120,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TOLL-9
Polaridad de transistor:	N Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Id: corriente de drenaje continuo:	120 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.8 V
Qg (carga de compuertas):	170 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 175 V
Pd (disipación de potencia):	405 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Transconductancia delantera: mín.:	32 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	32 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	17 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	82 ns

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.