SCT012W90G3-4AG

STMicroelectronics
511-SCT012W90G3-4AG
SCT012W90G3-4AG

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 640

Existencias:
640 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
17 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
17,85 € 17,85 €
15,21 € 152,10 €
13,16 € 1.316,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
Through Hole
HiP247-3
N-Channel
1 Channel
900 V
110 A
15.8 mOhms
- 10 V, + 22 V
3.1 V
138 nC
- 55 C
+ 200 C
625 W
Enhancement
AEC-Q101
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 16 ns
Empaquetado: Tube
Producto: SiC MOSFETS
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 43 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 1
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo típico de retraso de apagado: 41 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 20 ns
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de potencia de carburo de silicio para automoción

Los   MOSFET de potencia de carburo de silicio para automoción de STMicroelectronics   están desarrollados mediante la tecnología MOSFET SiC de 2.ª y 3.ª generación avanzada e innovadora de ST.  Los dispositivos   presentan una baja resistencia de activación por unidad de superficie y un rendimiento de conmutación   excelente. Los MOSFET presentan una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta (TJ = 200°C) y un diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto.