Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

SCT012H90G3AG

Name: STMicroelectronics SCT012H90G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT012H90G3AG
Price: 17.67 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

511-SCT012H90G3AG

Fabr. N.º:

SCT012H90G3AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

Complete su diseño

Hoja de datos:

SCT012H90G3AG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre STMicroelectronics SCT012H90G3AG

En existencias: 160

Existencias:: 160 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	17,67 €	17,67 €
	12,69 €	126,90 €
	12,33 €	1.233,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	10,48 €	10.480,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	H2PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	900 V
Id: corriente de drenaje continuo:	110 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	12 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 18 V, + 18 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.2 V
Qg (carga de compuertas):	138 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	625 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	30 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	47 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	silicon carbide Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	82 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	37 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SCT012H90G3AG Hoja de datos (PDF)

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de carburo de silicio para automoción

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio para automoción de STMicroelectronics están desarrollados mediante la tecnología MOSFET SiC de 2.ª y 3.ª generación avanzada e innovadora de ST. Los dispositivos presentan una baja resistencia de activación por unidad de superficie y un rendimiento de conmutación excelente. Los MOSFET presentan una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta (TJ = 200°C) y un diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto.

MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio SCTx0N120 de STMicroelectronics se fabrican con materiales de banda prohibida amplia avanzados e innovadores. Esto da lugar a una resistencia de encendido por área de unidad sin parangón y un muy buen rendimiento de conmutación prácticamente independiente de la temperatura. Las destacadas propiedades térmicas del material SiC y el paquete HiP247™patentado permiten a los diseñadores utilizar un perfil habitual en el sector con capacidades térmicas mejoradas significativamente. Estas características hacen que el dispositivo se adapte perfectamente a aplicaciones de densidad de alta eficiencia y alta potencia.
Más información