Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

SCS220AGC17

Name: ROHM Semiconductor SCS220AGC17
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS220AGC17
Price: 7.48 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

755-SCS220AGC17

Fabr. N.º:

SCS220AGC17

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

SCS220AGC17 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre ROHM Semiconductor SCS220AGC17

En existencias: 11

Existencias:: 11 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 21 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Las cantidades mayores que 11 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	7,48 €	7,48 €
	3,74 €	37,40 €
100	Cotización

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220ACG-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	20 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.55 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	68 A
Ir - Corriente inversa:	400 uA
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
Pd (disipación de potencia):	136 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V
Alias de parte #:	SCS220AG

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SCS220AGC17 Hoja de datos (PDF)

Specification Sheets

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (Q_C), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.