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SCS215AJHRTLL

Name: ROHM Semiconductor SCS215AJHRTLL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS215AJHRTLL
Price: 8.57 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-SCS215AJHRTLL

Fabr. N.º:

SCS215AJHRTLL

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V 15A SiC SBD AEC-Q101 Qualified

Hoja de datos:

SCS215AJHRTLL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	8,57 €	8,57 €
	5,73 €	57,30 €
	4,79 €	479,00 €
	4,34 €	2.170,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	4,34 €	4.340,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263AB-3
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	15 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión delantera:	1.55 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	52 A
Ir - Corriente inversa:	300 uA
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	SCS2x
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Pd (disipación de potencia):	100 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V
Alias de parte #:	SCS215AJHR
Peso unitario:	2,037 g

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Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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SPICE Models

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Constitution Material (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Industrial Product Solutions

ROHM Industrial Product Solutions supply a quality lineup of products from passive devices and discrete to ICs and modules, providing total solutions at the system level. The ROHM Industrial Product Solutions have achieved high quality, technological capability, and a stable supply of products (over ten years), creating innovative solutions in a highly integrated production system. These products meet the rapidly evolving needs of the industrial equipment market. ROHM continues to leverage its strengths providing optimized solutions tailored to customer sets.

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ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.

Automotive Solutions

ROHM Automotive Solutions contribute to the continuing evolution of the automotive sector through a stable, long-term supply of high-quality products. An expansive lineup supports the transition towards increased electrification and connectivity. ROHM can provide optimized solutions to suit various customer needs by focusing on safety, comfort, and the environment.

SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor^® SiC (Silicon Carbide) Schottky Barrier Diodes feature low total capacitive (Q_c) that reduces switching loss, enabling high-speed switching operation. In addition, unlike silicon-based fast recovery diodes where the t_rr increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance. These devices are ideal for use as key devices in a variety of applications, including inverters and chargers for EVs and solar power conditioners.