SBR1045SD1-T

Diodes Incorporated
621-SBR1045SD1-T
SBR1045SD1-T

Fabr.:

Descripción:
Diodos y rectificadores Schottky 10A SBR 45V VRRM 32V Vr 10A 180 IFSM

Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
0,611 € 0,61 €
0,461 € 4,61 €
0,373 € 37,30 €
0,289 € 144,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1200)
0,222 € 266,40 €
0,215 € 516,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Diodes Incorporated
Categoría de producto: Diodos y rectificadores Schottky
RoHS:  
REACH - SVHC:
Schottky Rectifiers
Through Hole
DO-201AD-2
Single
Si
10 A
45 V
500 mV
180 A
50 uA
- 65 C
+ 150 C
SBR1045
Reel
Cut Tape
Marca: Diodes Incorporated
Tipo de producto: Schottky Diodes & Rectifiers
Cantidad del paquete de fábrica: 1200
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa: 32 V
Peso unitario: 1,200 g
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

Automotive Super Barrier Rectifiers

Diodes Incorporated Automotive Super Barrier Rectifiers (SBR) are designed with patented Super Barrier Technology that provides superior avalanche capability. These Diodes Incorporated SBR rectifiers offer low forward voltage drop and are ideal for automotive applications. The automotive SBR diodes have a lead-free finish while qualified to the AEC-Q101 standard that delivers high reliability. These SBR rectifiers are available in 1A to 30A forward current range and 500mV to 0.7V forward voltage range.

SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.