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SBC846BPDW1T1G

Name: onsemi SBC846BPDW1T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-SBC846BPDW1T1G
Price: 0.3 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-SBC846BPDW1T1G

Fabr. N.º:

SBC846BPDW1T1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR

Hoja de datos:

SBC846BPDW1T1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 90.000

Fecha prevista: 02/03/2026

63.000

Fecha prevista: 03/03/2026
Plazo de producción de fábrica:: 42

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,301 €	0,30 €
	0,204 €	2,04 €
	0,129 €	12,90 €
	0,08 €	40,00 €
	0,059 €	59,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,052 €	156,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

SBC846BPDW1T2G

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,23 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - BJT
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-363-6
Polaridad de transistor:	NPN, PNP
Configuración:	Dual
Corriente del colector DC máxima:	100 mA
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	65 V
Voltaje colector-base VCBO:	80 V
Voltaje emisor-base VEBO:	6 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	600 mV, 650 mV
Pd (disipación de potencia):	380 mW
Producto fT para ganancia de ancho de banda:	100 MHz
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Cualificación:	AEC-Q100
Serie:	BC846BPDW1
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Colector CC/Ganancia base hfe Min:	200 at 2 mA, 5 V
Ganancia de corriente DC hFE Máx.:	475 at 2 mA, 5 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	7,500 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

SBC846BPDW1T1G Hoja de datos

PCN

SPICE Models

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

BC846BPDW1 Bipolar Transistors

onsemi BC846BPDW1 Bipolar Transistors are dual general-purpose transistors designed for low-power surface mount applications. These NPN/PNP transistors are housed in the SOT-363/SC-88 package. The BC846BPDW1 bipolar transistors are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and available in a PB-free package. These NPN/PNP transistors are halogen-free/BFR-free and are RoHS-compliant. The bipolar transistors are ideal for low-power surface mount applications.