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RV2C014BCT2CL

Name: ROHM Semiconductor RV2C014BCT2CL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RV2C014BCT2CL
Price: 0.4 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

755-RV2C014BCT2CL

Fabr. N.º:

RV2C014BCT2CL

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID

Hoja de datos:

RV2C014BCT2CL Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 15.530

Fecha prevista: 06/05/2026
Plazo de producción de fábrica:: 16

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 8000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,404 €	0,40 €
	0,244 €	2,44 €
	0,167 €	16,70 €
	0,134 €	67,00 €
	0,095 €	95,00 €
	0,076 €	380,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 8000)
	0,074 €	592,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-1006-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	1.4 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	300 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	600 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3.1 ns
Transconductancia delantera: mín.:	0.3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	12 ns
Serie:	RVxC
Cantidad del paquete de fábrica:	8000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	23 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	3.1 ns
Alias de parte #:	RV2C014BC
Peso unitario:	25,865 mg

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Specification Sheets

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Low-Gate Drive Voltage MOSFETs

ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs have a wide drive type of 0.9V to 10V. This wide drive type range offers support for applications ranging from a small signal to high power. ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs come in a wide choice of sizes as small as the microminiature package (0604 sizes). This variety of sizes helps to contribute to area space-saving in an application. These MOSFETs offer superior high-speed switching and low On-Resistance.

Low Power MOSFETs

ROHM Low Power MOSFETs feature a small VML100 package size and an extremely low dimensional tolerance. This makes these ROHM MOSFETs ideal for high-density applications such as smartphones and other portable devices.