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RS6E122BGTB1

Name: ROHM Semiconductor RS6E122BGTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS6E122BGTB1
Price: 2.45 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RS6E122BGTB1

Fabr. N.º:

RS6E122BGTB1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET HSOP8 N-CH 30V 155A

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,45 €	2,45 €
	1,59 €	15,90 €
	1,10 €	110,00 €
	0,903 €	451,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,763 €	1.907,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HSOP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	155 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.16 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	50 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	89 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	40 ns
Transconductancia delantera: mín.:	55 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	19 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	66 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	31 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.