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RS3G160ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RS3G160ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS3G160ATTB1
Price: 2.72 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RS3G160ATTB1

Fabr. N.º:

RS3G160ATTB1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

Hoja de datos:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,72 €	2,72 €
	1,77 €	17,70 €
	1,25 €	125,00 €
	1,06 €	530,00 €
	0,989 €	989,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,92 €	2.300,00 €
	0,897 €	8.970,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOP-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	16 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	6.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	120 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	210 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	65 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P - Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	260 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns
Alias de parte #:	RS3G160AT
Peso unitario:	83 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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