Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

RQ3N025ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3N025ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3N025ATTB1
Price: 1.07 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

755-RQ3N025ATTB1

Fabr. N.º:

RQ3N025ATTB1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

RQ3N025ATTB1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre ROHM Semiconductor RQ3N025ATTB1

En existencias: 2.320

Existencias:: 2.320 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,07 €	1,07 €
	0,671 €	6,71 €
	0,442 €	44,20 €
	0,344 €	172,00 €
	0,312 €	312,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,272 €	816,00 €
	0,252 €	1.512,00 €
	0,243 €	2.187,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HSMT-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	7 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	240 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	13 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	14 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	15 ns
Transconductancia delantera: mín.:	2.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6.4 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	50 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8.6 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

RQ3N025ATTB1 Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RQxAT P-Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor RQxAT P-Channel features surface mount packaging with low ON resistance and are 100% Rg and UIS tested. These P-channel MOSFETs offer a gate-source voltage of ±20V. The RQ3N025AT and RQ5L030AT MOSFETs feature a maximum drain-source ON resistance of 240mΩ and 99mΩ, respectively. These P-channel MOSFETs are RoHS compliant and halogen-free. The RQ3N025AT and RQ5L030AT MOSFETs offer a drain-source voltage of -80V and -60V, respectively. These P-channel MOSFETs operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include switching and motor drives.