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RQ3G120BJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G120BJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G120BJFRATCB
Price: 1.35 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RQ3G120BJFRATCB

Fabr. N.º:

RQ3G120BJFRATCB

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

Ciclo de vida:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,35 €	1,35 €
	0,855 €	8,55 €
	0,57 €	57,00 €
	0,467 €	233,50 €
	0,459 €	459,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,39 €	1.170,00 €
	0,387 €	2.322,00 €
	0,372 €	3.348,00 €
	0,37 €	8.880,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HSMT-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	12 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	48 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 5 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	15.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	40 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	6.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4.7 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	36 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	6.7 ns

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia RQ3xFRATCB

Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB de ROHM Semiconductor tienen grado automotriz y calificación AEC-Q101. Estos MOSFET presentan un rango de tensión de drenaje a fuente de -40 V a 100 V, 8 terminales, disipación de potencia de hasta 69 W y una corriente de drenaje continua de ±12 A a ±27 A. Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB están disponibles en canal N y canal P. Estos MOSFET de potencia vienen en un encapsulado HSMT8AG pequeño de 3,3 mm x 3,3 mm. Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB son ideales para sistemas avanzados de asistencia al conductor (ADAS), infoentretenimiento, iluminación y carrocería.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.