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RJ1G10BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1G10BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1G10BBGTL1
Price: 5.53 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RJ1G10BBGTL1

Fabr. N.º:

RJ1G10BBGTL1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET Nch 40V 280A, TO-263AB, Power MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	5,53 €	5,53 €
	4,23 €	42,30 €
	3,42 €	342,00 €
	3,04 €	1.520,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	2,61 €	2.088,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263AB-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	280 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.43 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	210 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	192 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	340 ns
Transconductancia delantera: mín.:	70 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	64 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	280ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	49 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RJ1x10BBG Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Power MOSFETs are N-channel power MOSFETs featuring low on-resistance and a high power package. The RJ1G10BBG and RJ1L10BBG power MOSFETs have a drain-source voltage of 40V and 60V, a continuous drain current of ±280A and ±240A, respectively, and a power dissipation of 192W. The RJ1x10BBG power MOSFETs are RoHS compliant. These power MOSFETs feature lead-free plating, are halogen-free, and 100% Rg and UIS tested. The RJ1x10BBG power MOSFETs operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include switching, motor drives, and DC/DC converters.