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RGSX5TS65EGC11

Name: ROHM Semiconductor RGSX5TS65EGC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGSX5TS65EGC11
Price: 4.63 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RGSX5TS65EGC11

Fabr. N.º:

RGSX5TS65EGC11

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

IGBT 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

RGSX5TS65EGC11 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-247N-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.15 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	30 V
Corriente continua del colector a 25 C:	114 A
Pd (disipación de potencia):	404 W
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
Corriente de fuga puerta-emisor:	200 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	IGBTs
Alias de parte #:	RGSX5TS65E

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Hoja de datos

RGSX5TS65EGC11 Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs feature a low collector-emitter saturation voltage. The RGSX5TS65 has a short circuit withstand time of 8μs. It's qualified to AEC-Q101 and has Pb-free lead plating.