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RD3N03BATTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3N03BATTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3N03BATTL1
Price: 2.03 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RD3N03BATTL1

Fabr. N.º:

RD3N03BATTL1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET TO252 P-CH 80V 30A

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

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	2,03 €	2,03 €
	1,30 €	13,00 €
	0,903 €	90,30 €
	0,761 €	380,50 €
	0,66 €	660,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,557 €	1.392,50 €
	0,55 €	2.750,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-252-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	30 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	64 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	50 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	54 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	69 ns
Transconductancia delantera: mín.:	13.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	225 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.