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R8019KNZ4C13

Name: ROHM Semiconductor R8019KNZ4C13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8019KNZ4C13
Price: 8.51 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-R8019KNZ4C13

Fabr. N.º:

R8019KNZ4C13

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET TO247 800V N CH 19A

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	8,51 €	8,51 €
	6,67 €	66,70 €
	5,57 €	557,00 €
	4,73 €	2.838,00 €
	4,31 €	5.172,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247G-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	800 V
Id: corriente de drenaje continuo:	19 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	265 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	65 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	208 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	60 ns
Transconductancia delantera: mín.:	2.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	50 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	110 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	35 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.