Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

QH8ME5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8ME5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8ME5TCR
Price: 1.03 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

755-QH8ME5TCR

Fabr. N.º:

QH8ME5TCR

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET 100V 2A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

Hoja de datos:

QH8ME5TCR Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre ROHM Semiconductor QH8ME5TCR

En existencias: 2.745

Existencias:: 2.745 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,03 €	1,03 €
	0,648 €	6,48 €
	0,409 €	40,90 €
	0,331 €	165,50 €
	0,301 €	301,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,261 €	783,00 €
	0,242 €	1.452,00 €
	0,231 €	2.079,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSMT-8
Polaridad de transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	202 mOhms, 270 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	2.8 nC, 19.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	5 ns, 48 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1.3 S, 3.2 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6 ns, 7 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	15 ns, 105 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	6 ns, 7.3 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QH8K Dual Nch+Nch Small Signal MOSFETs

ROHM Semiconductor QH8K Dual Nch+Nch Small Signal MOSFETs support 40V, 60V, or 100V withstand voltages. This series is designed for 24V input equipment such as factory automation equipment, and motors mounted on base stations (cooling fans). The QH8K devices consist of a low on-resistance Nch MOSFET, which is reduced by 58% compared to conventional ROHM products. This results in low power consumption of components. These MOSFETs come in a small, surface-mount TSMT8 package with eight terminals and Pb-free plating. ROHM Semiconductor QH8K Dual Nch+Nch Small Signal MOSFETs are ideal for switching and motor drive applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.