PSMN7R2-100YSFX

Nexperia
771-PSMN7R2-100YSFX
PSMN7R2-100YSFX

Fabr.:

Descripción:
MOSFET SOT669 100V 111A N-CH MOSFET

Modelo ECAD:
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En existencias: 215

Existencias:
215 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
2,02 € 2,02 €
1,30 € 13,00 €
0,886 € 88,60 €
0,706 € 353,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
0,62 € 930,00 €
0,577 € 1.731,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Nexperia
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO8-4
N-Channel
1 Channel
100 V
111 A
6.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
50 nC
- 55 C
+ 175 C
194 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Nexperia
Configuración: Single
Tiempo de caída: 18 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 15 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 34 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 14 ns
Alias de parte #: 934662278115
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NextPower 80/100V MOSFETs

Nexperia NextPower 80/100V MOSFETs are recommended for high-efficiency switching and high-reliability applications. The NextPower MOSFETs feature 50% lower RDS(on) and a strong avalanche energy rating. The devices are ideally suited for power supply, telecom, industrial designs, USB-PD Type-C chargers and adapters, and 48V DC-DC adapters. The devices have low body diode losses with Qrr down to 50 nano-coulombs (nC). This results in lower reverse recovery current (IRR), lower voltage spikes (Vpeak), and reduced ringing for further optimized dead time.