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PSMN5R5-100YSFX

Name: Nexperia PSMN5R5-100YSFX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN5R5-100YSFX
Price: 3 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

771-PSMN5R5-100YSFX

Fabr. N.º:

PSMN5R5-100YSFX

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET SOT669 100V 115A

Hoja de datos:

PSMN5R5-100YSFX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,00 €	3,00 €
	1,94 €	19,40 €
	1,75 €	87,50 €
	1,33 €	133,00 €
	1,20 €	600,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,697 €	1.045,50 €
	0,671 €	2.013,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-669-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	115 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	5.6 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	64 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	238 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Alias de parte #:	934661576115

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Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NextPower 80/100V MOSFETs

Nexperia NextPower 80/100V MOSFETs are recommended for high-efficiency switching and high-reliability applications. The NextPower MOSFETs feature 50% lower R_DS(on) and a strong avalanche energy rating. The devices are ideally suited for power supply, telecom, industrial designs, USB-PD Type-C chargers and adapters, and 48V DC-DC adapters. The devices have low body diode losses with Q_rr down to 50 nano-coulombs (nC). This results in lower reverse recovery current (I_RR), lower voltage spikes (V_peak), and reduced ringing for further optimized dead time.