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PSMN3R9-100YSFX

Name: Nexperia PSMN3R9-100YSFX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN3R9-100YSFX
Price: 3.17 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

771-PSMN3R9-100YSFX

Fabr. N.º:

PSMN3R9-100YSFX

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET SOT1023 100V 120A N-CH

Hoja de datos:

PSMN3R9-100YSFX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 3.000

Fecha prevista: 23/02/2026
Plazo de producción de fábrica:: 13

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,17 €	3,17 €
	2,08 €	20,80 €
	1,87 €	93,50 €
	1,46 €	146,00 €
	1,29 €	645,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	1,06 €	1.590,00 €
	1,04 €	3.120,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-1023-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	120 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	79 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	245 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	23 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	18 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	45 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	22 ns
Alias de parte #:	934660621115
Peso unitario:	93,270 mg

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Hoja de datos

PSMN3R9-100YSFX Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NextPower 80/100V MOSFETs

Nexperia NextPower 80/100V MOSFETs are recommended for high-efficiency switching and high-reliability applications. The NextPower MOSFETs feature 50% lower R_DS(on) and a strong avalanche energy rating. The devices are ideally suited for power supply, telecom, industrial designs, USB-PD Type-C chargers and adapters, and 48V DC-DC adapters. The devices have low body diode losses with Q_rr down to 50 nano-coulombs (nC). This results in lower reverse recovery current (I_RR), lower voltage spikes (V_peak), and reduced ringing for further optimized dead time.