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PSMN2R2-40YSBX

Name: Nexperia PSMN2R2-40YSBX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN2R2-40YSBX
Price: 1.53 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

771-PSMN2R2-40YSBX

Fabr. N.º:

PSMN2R2-40YSBX

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET SOT669 N-CH 40V 180A

Hoja de datos:

PSMN2R2-40YSBX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	1,53 €	1,53 €
	0,98 €	9,80 €
	0,963 €	48,15 €
	0,655 €	65,50 €
	0,518 €	259,00 €
	0,517 €	775,50 €
	0,416 €	1.248,00 €
	0,402 €	1.809,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	Power-SO8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	180 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.6 V
Qg (carga de compuertas):	49 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	166 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	29 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns
Alias de parte #:	934665893115

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs

Nexperia EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs are housed in highly efficient and space-saving LFPAK56 packages. These MOSFETs are Avalanche-rated. The NextPowerS3 MOSFETs support a maximum junction temperature of +175°C. These MOSFETs are EU RoHS-compliant. The NextPowerS3 MOSFETs feature a peak soldering temperature of +260°C and a -55°C to +175°C storage temperature range. Typical applications include DC-to-DC converters and brushless DC motor control.