PSMN1R8-80SSFJ

Nexperia
771-PSMN1R8-80SSFJ
PSMN1R8-80SSFJ

Fabr.:

Descripción:
MOSFET SOT1235 N-CH 80V 270A

Modelo ECAD:
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En existencias: 1.101

Existencias:
1.101 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
7,09 € 7,09 €
4,83 € 48,30 €
4,31 € 215,50 €
3,64 € 364,00 €
3,41 € 3.410,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
2,20 € 4.400,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Nexperia
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOT-1235-4
N-Channel
1 Channel
80 V
270 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
148 nC
- 55 C
+ 175 C
341 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Nexperia
Configuración: Single
Tiempo de caída: 45 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 33 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 2000
Subcategoría: Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado: 90 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 40 ns
Alias de parte #: 934662271118
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NextPower 80/100V MOSFETs

Nexperia NextPower 80/100V MOSFETs are recommended for high-efficiency switching and high-reliability applications. The NextPower MOSFETs feature 50% lower RDS(on) and a strong avalanche energy rating. The devices are ideally suited for power supply, telecom, industrial designs, USB-PD Type-C chargers and adapters, and 48V DC-DC adapters. The devices have low body diode losses with Qrr down to 50 nano-coulombs (nC). This results in lower reverse recovery current (IRR), lower voltage spikes (Vpeak), and reduced ringing for further optimized dead time.