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PMH400UNEH

Name: Nexperia PMH400UNEH
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMH400UNEH
Price: 0.24 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

771-PMH400UNEH

Fabr. N.º:

PMH400UNEH

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET SOT8001 N-CH 30V .9A

Hoja de datos:

PMH400UNEH Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 20.000

Fecha prevista: 20/08/2026
Plazo de producción de fábrica:: 12

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,241 €	0,24 €
	0,15 €	1,50 €
	0,094 €	9,40 €
	0,069 €	34,50 €
	0,054 €	54,00 €
	0,046 €	230,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)
	0,046 €	460,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-0606-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	900 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	460 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	950 mV
Qg (carga de compuertas):	620 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	660 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	2 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	2 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	4 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	1 ns
Alias de parte #:	935690958125

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

DFN0606 Trench MOSFETs

Nexperia DFN0606 Trench MOSFETs are designed to utilize Trench MOSFET technology to provide low threshold voltage and very fast switching. These Nexperia MOSFETs feature electrostatic discharge (ESD) protection and are available in a leadless ultra-small DFN0606-3 (SOT8001) surface-mount (SMD) plastic package. Typical applications include mobile phones, wearable and portable devices, mobile phone accessories, headsets, earphones, and hearing aids.