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PMDXB950UPEZ

Name: Nexperia PMDXB950UPEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB950UPEZ
Price: 0.43 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

771-PMDXB950UPEZ

Fabr. N.º:

PMDXB950UPEZ

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET PMDXB950UPE/SOT1216/DFN1010B-6

Hoja de datos:

PMDXB950UPEZ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 5.000

Fecha prevista: 08/02/2027
Plazo de producción de fábrica:: 8

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,43 €	0,43 €
	0,265 €	2,65 €
	0,169 €	16,90 €
	0,126 €	63,00 €
	0,101 €	101,00 €
	0,10 €	250,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,084 €	420,00 €
	0,074 €	740,00 €
	0,072 €	1.800,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-1010-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	500 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	5 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	450 mV
Qg (carga de compuertas):	2.1 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	380 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	480 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	13.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	2.3 ns
Alias de parte #:	934067656147
Peso unitario:	1,200 mg

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ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.