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PMDXB600UNEZ

Name: Nexperia PMDXB600UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB600UNEZ
Price: 0.38 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

771-PMDXB600UNEZ

Fabr. N.º:

PMDXB600UNEZ

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET PMDXB600UNE/SOT1216/DFN1010B-6

Hoja de datos:

PMDXB600UNEZ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 24.993

Fecha prevista: 08/02/2027
Plazo de producción de fábrica:: 8

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Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,387 €	0,39 €
	0,202 €	2,02 €
	0,135 €	13,50 €
	0,077 €	38,50 €
	0,06 €	60,00 €
	0,058 €	145,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,05 €	250,00 €
	0,044 €	440,00 €
	0,04 €	1.000,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-1010-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	600 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3 Ohms, 3 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	450 mV
Qg (carga de compuertas):	400 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	380 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	51 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9.2 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	19 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5.6 ns
Alias de parte #:	934067655147
Peso unitario:	1,200 mg

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MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.