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PMDXB600UNELZ

Name: Nexperia PMDXB600UNELZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB600UNELZ
Price: 0.3 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

771-PMDXB600UNELZ

Fabr. N.º:

PMDXB600UNELZ

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET SOT1216 2NCH 20V .6A

Hoja de datos:

PMDXB600UNELZ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 9.200

Fecha prevista: 08/02/2027
Plazo de producción de fábrica:: 8

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,301 €	0,30 €
	0,182 €	1,82 €
	0,114 €	11,40 €
	0,085 €	42,50 €
	0,067 €	67,00 €
	0,065 €	162,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,055 €	275,00 €
	0,05 €	500,00 €
	0,046 €	1.150,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-1010-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	600 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	470 mOhms, 470 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	450 mV
Qg (carga de compuertas):	700 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	380 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	51 ns, 51 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1 S, 1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9.2 ns, 9.2 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	19 ns, 19 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5.6 ns, 5.6 ns
Alias de parte #:	934070432147
Peso unitario:	1,217 mg

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JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

PMDXB600UNEL 20V Dual N-Channel Trench MOSFET

Nexperia PMDXB600UNEL 20V Dual N-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) housed in a leadless ultrasmall surface-mounted plastic package. The PMDXB600UNEL features a low leakage current, and an exposed drain pad for excellent thermal conduction. Typical applications include relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.