PMDXB550UNEZ

Nexperia
771-PMDXB550UNEZ
PMDXB550UNEZ

Fabr.:

Descripción:
MOSFET SOT1216 2NCH 30V .59A

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

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Pedido:
140.000
Fecha prevista: 08/02/2027
Plazo de producción de fábrica:
8
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
0,456 € 0,46 €
0,277 € 2,77 €
0,177 € 17,70 €
0,132 € 66,00 €
0,108 € 108,00 €
0,107 € 267,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
0,093 € 465,00 €
0,082 € 820,00 €
0,081 € 2.025,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Nexperia
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1010-6
N-Channel
2 Channel
30 V
590 mA
670 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
1.05 nC
- 55 C
+ 150 C
4.03 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Nexperia
Configuración: Dual
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Tiempo de caída: 3 ns
Transconductancia delantera: mín.: 600 mS
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 7 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 12 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 4 ns
Alias de parte #: 934069326147
Peso unitario: 1,290 mg
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET is a surface mount device that offers a low threshold voltage. This 30V enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) features exposed drain pad for an excellent thermal conduction and ESD protection. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits. The PMDXB550UNE MOSFET is designed using Trench MOSFET technology and is available in a leadless ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) plastic package.