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PMDXB1200UPEZ

Name: Nexperia PMDXB1200UPEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB1200UPEZ
Price: 0.41 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

771-PMDXB1200UPEZ

Fabr. N.º:

PMDXB1200UPEZ

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET PMDXB1200UPE/SOT1216/DFN1010B-

Hoja de datos:

PMDXB1200UPEZ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 15.140

Fecha prevista: 08/02/2027
Plazo de producción de fábrica:: 8

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Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,413 €	0,41 €
	0,253 €	2,53 €
	0,161 €	16,10 €
	0,12 €	60,00 €
	0,096 €	96,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,083 €	415,00 €
	0,077 €	770,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-1010-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	410 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.4 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	950 mV
Qg (carga de compuertas):	1.2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	410 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Alias de parte #:	934069327147
Peso unitario:	1,229 mg

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CAHTS:: 8541210000
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JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.